金年會-邢慧麗因在半導體研究方面的卓越表現而獲獎
發(fā)布時間:2025-12-01 jinnianhui
康奈爾大學電氣與計算機工程和材料科學與工程 William L. Quackenbush 教授Huili Grace Xing(邢慧麗) 因在半導體研究方面的卓越表現而獲得半導體行業(yè)協會 (SIA) 和半導體研究公司 (SRC) 頒發(fā)的 2025 年大學技術研究獎。

Huili Grace Xing,康奈爾大學電氣與計算機工程和材料科學與工程 William L. Quackenbush 教授。
SIA 和 SRC 每年都會向在推進半導體技術和設計研究方面表現出色的兩位教授頒發(fā)大學研究獎。該獎項由 SIA 于 1995 年設立,旨在表彰大學教師對美國半導體行業(yè)的終身研究貢獻。獲獎者由 SRC 董事會、SIA 董事會主席和董事會共同選出。
2025 年獎項于 11 月 6 日宣布,將于 11 月 20 日在加利福尼亞州圣何塞舉行的 SIA 頒獎晚宴上正式頒發(fā)。密歇根大學計算機科學與工程以及電氣與計算機工程科學教授托德·奧斯汀 (Todd Austin) 是大學設計研究獎的獲得者。
“研究是我們行業(yè)跳動的心臟,推動創(chuàng)新,推動推動我們的經濟并改善世界各地的生活,”SIA 總裁兼首席執(zhí)行官 John Neuffer 說?!靶辖淌诤蛫W斯汀教授是半導體研究的卓越典范,他們的前沿工作擴大了芯片技術的前沿,并加強了美國作為全球創(chuàng)新領導者的地位。我們很榮幸表彰邢博士和奧斯汀博士的杰出成就。
邢女士因其在III-V族氮化物材料和器件、氧化物材料和器件、二維半導體和層狀晶體方面的開創(chuàng)性工作而獲獎。她對用于高速、高功率應用的氮化鋁和氮化鎵等寬禁帶半導體的超大規(guī)模高電子和空穴遷移率晶體管的研究顯著推進了極性半導體在電子和光子學中的應用,例如高頻無線通信、固態(tài)電子和節(jié)能器件。
SRC 總裁兼首席執(zhí)行官 Todd Younkin 表示:“SRC 研究計劃的標志是通過富有遠見的研究、深入合作以及學術界、工業(yè)界和政府之間對卓越的承諾,始終如一地產生現實世界的影響。“Huili Grace Xing 教授和 Todd Austin 教授體現了這一遺產——不僅通過他們突破性的創(chuàng)新和指導,還通過他們幫助領導的項目的規(guī)模和雄心壯志。他們的工作以行業(yè)速度發(fā)展,展示了公私合作伙伴關系在加速進步和塑造微電子未來方面的力量。
邢的貢獻包括基礎研究,例如研究原子水平的材料特性,以及應用研究,涉及氮化鎵器件在現實場景中的設計和測試。作為 IEEE、AAAS 和 APS 的研究員,邢先生此前曾獲得無數獎項,包括英特爾杰出研究員獎、ISCS 青年科學家獎、NSF CAREER 獎和 AFOSR 青年研究員計劃獎。
“我真的很謙卑和榮幸獲得這個獎項,”邢說?!斑@一認可凸顯了學術界、工業(yè)界和政府之間推動半導體技術創(chuàng)新的重要伙伴關系。在過去的二十年里,我有幸擔任過各種角色——從貢獻 PI 到 JUMP 2.0 中心主任——為這種合作做出了貢獻。這個獎項也是對與我分享這段旅程的幾代研究生和密切合作者的致敬。
-金年會





