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金年會-長江存儲第三晶圓廠破土動工
發(fā)布時間:2025-11-20 jinnianhui
據(jù)《日經(jīng)新聞》報道,長江存儲技術(shù)公司 (YMTC) 在武漢的第三座 NAND 晶圓廠破土動工,并計(jì)劃在 2027 年運(yùn)行第一塊芯片。據(jù)報道,該公司還在擴(kuò)建其第二家晶圓廠,并考慮進(jìn)入 DRAM 市場。
兩年前,長江存儲推出了一款 232 層 3D NAND 存儲器 X3-9070,具有 QLC、200+ 個活動字行和 19.8 Gb/mm2 的位密度。
該芯片采用長江存儲的Xtacking 3.0架構(gòu)開發(fā),是長江存儲武當(dāng)山項(xiàng)目的一部分,該項(xiàng)目旨在依靠中國設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)。
據(jù) Omdia 估計(jì),長江存儲今年將占全球 NAND 投資的 20%。年。目前,它擁有全球產(chǎn)能的7-8%,但不到全球NAND收入的5%。其目的是將其在全球產(chǎn)能中的份額擴(kuò)大到 10%+,并挑戰(zhàn)美光在NAND 市場的第四名。
-金年會





