三星 LPDDR6 內(nèi)存規(guī)格揭曉：10.7nm 速度為 12Gbps;據(jù)報道，著眼于 14 Gbps 作者： 時間：2025-11-13 來源： 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢

隨著三星推進(jìn)其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進(jìn)步。CES和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設(shè)備、配件和應(yīng)用程序類別創(chuàng)新獎獲獎?wù)?。新公布的?guī)格特別指出，12 納米設(shè)計可提供 10.7Gbps 數(shù)據(jù)速率和擴(kuò)展的 I/O 以實現(xiàn)更高帶寬——專為數(shù)據(jù)密集型移動、邊緣和設(shè)備上的 AI 工作負(fù)載而構(gòu)建。

TechPor:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫erUp援引三星的話報道稱，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，與其帶寬和速度相匹配，同時功耗減少了約五分之一。該媒體還指出，未來的 LPDDR6 版本可能會攀升至 14 Gbps，甚至超過最快的超頻LPDDR5X。正如報告所強調(diào)的那樣，三星的調(diào)諧LPDDR5X已經(jīng)達(dá)到 10.7 Gbps，有效地為 LPDDR6 奠定了起跑線。

報告補充說，更多細(xì)節(jié)應(yīng)該會在即將到來的 2026 年 CES 上公布，三星計劃在會上演示運行新內(nèi)存的設(shè)備并詳細(xì)介紹其主要功能。

據(jù)三星稱，LPDDR6 還帶來了更強大的安全功能來保護(hù)數(shù)據(jù)完整性，將其用例推向移動之外的工業(yè)和關(guān)鍵任務(wù) AI 應(yīng)用。

內(nèi)存巨頭的 LPDDR6 路線圖

三星并不是唯一一家為 LPDDR6 做準(zhǔn)備的公司。Wccftech援引 SK 海力士的路線圖報道稱，該公司正在推出廣泛的 DRAM——從標(biāo)準(zhǔn) LPDDR6 到以 AI 為中心的“AI-D”解決方案，如 LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R 和第二代 CXL LPDDR6-PIM。報告稱，SK 海力士的 LPDDR6 預(yù)計將于 2026 年推出，而 DDR6 可能會在 2029 年至 2031 年之間上市。

美光尚未提供 LPDDR6 的詳細(xì)時間，但據(jù)報道，在 6 月份的財報電話會議上，該公司標(biāo)志著一個關(guān)鍵的里程碑：根據(jù)Tom s Hardr:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫are的說法，基于 1γ 的 LPDDR5 DRAM 的首次合格樣品出貨。報告補充說，1γ 工藝（美光的第 6 代 10nm 級節(jié)點）比 1β 功耗降低 20%，性能提高 15%，位密度提高 30%，一旦良率穩(wěn)定，就有可能降低生產(chǎn)成本。