來自供應(yīng)鏈的消息顯示，英偉達(dá)極有可能成為臺積電下一代的A16制程（1.6nm）首個(gè)客戶，其新一代GPU「Feynman」將有望首發(fā)采用。英偉達(dá)也是目前唯一傳聞將會采用臺積電A16制程的廠商。

報(bào)道稱，英偉達(dá)的Rubin與Rubin Ultra系列將率先采用3nm制程，而再下一代Feynman則計(jì)劃直接升級到A16制程。英偉達(dá)的產(chǎn)品路線圖顯示，Vera Rubin預(yù)計(jì)于2026年下半年推出、Rubin Ultra落在2027年下半年，F(xiàn)eynman則將于2028年登場。

為配合英偉達(dá)的計(jì)劃，臺積電高雄P3廠正加速建設(shè)，預(yù)計(jì)在2027年啟動(dòng)A16制程的量產(chǎn)。近期臺積電擴(kuò)充3nm產(chǎn)能，也被業(yè)界解讀為是應(yīng)對英偉達(dá)的大量拉貨、并提前為A16布局。

據(jù)了解，臺積電A16制程采用全新的Nanosheet（納米片）架構(gòu)，并搭配SPR（Super Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Rail，超導(dǎo)電軌）背面供電技術(shù)，可釋放更多正面布局空間、提升邏輯密度并降低壓降，其背面接面（Backside Contact）也能維持傳統(tǒng)版圖彈性，是業(yè)界首創(chuàng)的背面供電整合方案。相較N2P制程，A16制程在相同功耗下速度可提升8-10%，在相同速度下功耗可降低15-20%，芯片密度也將提高7%-10%。

值得注意的是，除了臺積電外，其他晶圓大廠也正加速布局背面供電技術(shù)：三星已在今年的晶圓代工論壇宣布，將于2027年量產(chǎn)BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）制程SF2Z；而英特爾的Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫erVia背面供電構(gòu)架將使用于2025年底量產(chǎn)的18A制程節(jié)點(diǎn)。