SK海力士探索高帶寬存儲(chǔ)堆疊 NAND 和 DRAM 作者： 時(shí)間：2025-11-11 來(lái)源：TrendForce集邦咨詢 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發(fā)高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過(guò) NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的內(nèi)存領(lǐng)域：高帶寬存儲(chǔ) （HBS）。正如 ETner:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 報(bào)道的那樣，哈佛商學(xué)院將移動(dòng) DRAM 和 NAND 相結(jié)合，以提高智能手機(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)設(shè)備的 AI 性能。

報(bào)告援引消息人士解釋說(shuō)，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創(chuàng)建HBS，它可以堆疊多達(dá)16層DRAM和NAND。根據(jù) ETNer:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 的說(shuō)法，這些層通過(guò)垂直線扇出 （VFO） 互連，顯著提高了數(shù)據(jù)處理速度。

值得注意的是，這并不是SK海力士首次使用VFO。ETNer:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 報(bào)道稱，該公司此前為蘋果 Vision Pro 提供了采用垂直線扇出技術(shù)封裝的 DRAM，而新的 HBS 通過(guò)集成 NAND 進(jìn)一步推動(dòng)了這一概念。

據(jù)SK海力士稱，2023年首次亮相的VFO是一種通過(guò)垂直連接電線而不是彎曲電線來(lái)最大限度地減少空間并降低功耗的技術(shù)。它還徹底改變了大型扇出晶圓級(jí)封裝 （WLP），這是一種將 I/O 端子與芯片外部電線連接起來(lái)的封裝技術(shù)。

SK海力士聲稱其垂直扇出設(shè)計(jì)帶來(lái)了顯著的收益：與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，電線長(zhǎng)度減少了4.6倍，從而將電源效率提高了4.9%。該公司指出，除此之外，該技術(shù)還降低了 27% 的包裝高度，并將散熱提高了 1.4%。

報(bào)告指出，值得注意的是，與 HBM 不同，HBS 不需要穿透芯片的硅通孔 （TSV） 工藝，從而使其具有更高的良率和更低的制造成本。

潛在應(yīng)用/HBF 路線圖

展望未來(lái)，ETNer:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 指出，DRAM 和 NAND 堆疊的 HBS 與應(yīng)用處理器 （AP） 一起封裝，并直接集成到移動(dòng)設(shè)備中。因此，該報(bào)告表明，SK海力士開發(fā)HBS是為了滿足智能手機(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)平臺(tái)對(duì)增強(qiáng)人工智能性能不斷增長(zhǎng)的需求。

SK海力士的最新舉措與其早些時(shí)候的專利申請(qǐng)相一致。據(jù)Sisa Journal3 月份報(bào)道，該公司于 2 月份向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局 （KIPO） 申請(qǐng)了“LPW NAND”商標(biāo)，該技術(shù)被認(rèn)為反映了 SanDisk 的高帶寬閃存 （HBF）。報(bào)告指出，SanDisk 的第一代 HBF 堆疊 16 層，達(dá)到 512GB，提供類似 HBM 的帶寬，同時(shí)將容量擴(kuò)展 8-16 倍。

展望未來(lái)，根據(jù)Wccftech引用的路線圖，SK 海力士的 HBF 產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于 2029 年至 2031 年之間上市。